近日，原子能院核安全研究所項目團隊針對強輻射場環境智能裝備應用，成功研制出國內首款MGy(兆戈瑞)級抗輻射三線譯碼器芯片，是宇航級芯片抗輻射總劑量1kGy的1000倍，達到了國內領先、國際先進水平，滿足了強輻射場環境工作的智能裝備對該功能芯片的抗輻射加固需求，同時也為其他功能芯片的抗輻射加固奠定了研究基礎，提高了核工業智能裝備和系統在強輻射環境下的可靠性和安全性。
抗輻射三線譯碼器芯片可滿足地面核設施強輻射場景對自動控制、傳感器、智能裝備和信息化系統的耐輻射需求。研制期間，項目團隊選用180nm CMOS(互補金屬氧化物半導體)商業標準工藝，通過晶體管級抗輻射加固研究，突破了MGy級抗總劑量輻射的數字芯片加固技術。針對顯示控制、內存解碼、電氣自動化等應用需求，完成了三線譯碼橋接芯片設計、版圖加固、流片、封裝和測試的全流程技術開發，總劑量輻照測試表明其抗總劑量輻射性能達到1.17MGy。芯片在耐輻照性能測試環節采用了更科學可靠的在線測試方法，不僅在測試中始終處于工作狀態，在經受1.17 MGy的在線總劑量輻照后，仍可以正常工作。
抗輻射三線譯碼器芯片可滿足地面核設施強輻射場景對自動控制、傳感器、智能裝備和信息化系統的耐輻射需求。研制期間，項目團隊選用180nm CMOS(互補金屬氧化物半導體)商業標準工藝，通過晶體管級抗輻射加固研究，突破了MGy級抗總劑量輻射的數字芯片加固技術。針對顯示控制、內存解碼、電氣自動化等應用需求，完成了三線譯碼橋接芯片設計、版圖加固、流片、封裝和測試的全流程技術開發，總劑量輻照測試表明其抗總劑量輻射性能達到1.17MGy。芯片在耐輻照性能測試環節采用了更科學可靠的在線測試方法，不僅在測試中始終處于工作狀態，在經受1.17 MGy的在線總劑量輻照后，仍可以正常工作。
抗輻射三線譯碼器芯片
該項目隸屬原子能院長期基礎研究專項。面對抗輻射加固需求，項目團隊未來將努力開發更多MGy級抗輻射總劑量的數字和模擬芯片，為“智慧核工業”的進一步實現貢獻力量。
